有關突觸後電位變化之敘述，下列何者正確？

本題觀念：

本題考查的是突觸後電位 (Postsynaptic Potentials) 的基礎生理機制，特別是興奮性與抑制性突觸後電位的定義、離子機制以及動作電位產生的條件。

選項分析

• A. 興奮性衝動導致細胞膜電位過極化，稱為興奮性突觸後電位（EPSP）—— 錯誤

  • 興奮性突觸後電位 (EPSP) 的定義是使突觸後神經元的膜電位發生去極化 (Depolarization)，即電位變得較不負（例如從 -70mV 上升至 -60mV），使其更接近動作電位的閾值。
  • 過極化 (Hyperpolarization) 是指膜電位變得更負，這通常與抑制性電位有關。因此選項敘述剛好相反。

• B. 抑制性衝動引起細胞膜電位去極化，稱為抑制性突觸後電位（IPSP）—— 錯誤

  • 抑制性突觸後電位 (IPSP) 的作用是降低突觸後神經元產生動作電位的機率。這通常是透過使膜電位過極化 (Hyperpolarization)（例如從 -70mV 下降至 -80mV）或穩定在靜止電位來實現，使其遠離閾值。
  • 雖然在極少數特殊生理狀態下 IPSP 可能涉及去極化（Shunting inhibition），但一般定義上，抑制性衝動是引起過極化，而非去極化。因

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