下列何者會導致電位過極化（hyperpolarizing），進而誘發抑制性突觸後電位（inhibitory postsynaptic potential, IPSP）的表現？

本題觀念：突觸後電位的離子機轉

神經化學性突觸中，神經傳導物質接合受體後會開啟特定離子通道，造成 postsynaptic membrane 發生階梯性電位 (graded potential)。

1. 若膜電位向閾值 (約 –55 mV) 接近 → 去極化 (depolarization) → 興奮性突觸後電位 (EPSP)。
2. 若膜電位比靜止電位 (約 –70 mV) 更負 → 過極化 (hyperpolarization) → 抑制性突觸後電位 (IPSP)。

能使膜電位變得更負的典型方式有兩種：
• 讓帶正電的 K⁺ 外流 (E_K ≈ –90 mV)。
• 讓帶負電的 Cl⁻ 內流或穩定於 E_Cl (≈ –70 mV以下)。
開啟這兩類通道均會降低細胞興奮性，呈現 IPSP。

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選項分析

A. Cl⁻ channel open；K⁺ channel open
‧ Cl⁻ 內流：將膜電位拉向 E_Cl，使細胞更負。
‧ K⁺ 外流：將膜電位拉向 E_K，也使細胞更負。
兩者皆產生過極化，是典型 IPSP 機制 → 正確。

B. Na⁺ channel open；K⁺ channel open
‧ Na⁺ 內流：去極化 (EPSP)。
‧ K⁺ 外流：過極化 (IPSP)。
同時開啟時

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